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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
比较
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
总分
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
总分
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
42
85
左右 51% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.0
8.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.1
10.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
85
读取速度,GB/s
10.6
15.1
写入速度,GB/s
9.0
8.1
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2423
1772
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
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Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
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UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
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