RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Comparez
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Note globale
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Note globale
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
42
Autour de -75% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.4
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.6
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
24
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
15.4
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
10.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2423
2462
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905734-073.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link