RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Porównaj
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
42
Wokół strony -75% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.4
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
24
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
2462
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link