RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Comparez
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Note globale
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Note globale
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
39
42
Autour de -8% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.7
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.2
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
39
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
13.7
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
10.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2423
2359
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905471-054.A00LF 8GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link