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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
比较
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
总分
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
总分
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
39
42
左右 -8% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.7
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.2
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
39
读取速度,GB/s
10.6
13.7
写入速度,GB/s
9.0
10.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2423
2359
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB RAM的比较
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Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
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