RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Comparez
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Note globale
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Note globale
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
18
42
Autour de -133% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.7
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.2
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
18
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
19.7
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
16.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2423
3597
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB Comparaison des RAM
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link