RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Comparez
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Note globale
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Note globale
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
870.4
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
87
Autour de -142% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
9.3
3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
87
36
Vitesse de lecture, GB/s
3,155.6
9.3
Vitesse d'écriture, GB/s
870.4
7.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
417
2081
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link