RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Porównaj
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
870.4
7.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
87
Wokół strony -142% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.3
3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
87
36
Prędkość odczytu, GB/s
3,155.6
9.3
Prędkość zapisu, GB/s
870.4
7.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
417
2081
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Mushkin 991988 (996988) 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link