RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Comparez
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB vs Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Note globale
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Note globale
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,072.7
16.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
75
Autour de -178% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.1
2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
75
27
Vitesse de lecture, GB/s
2,730.3
20.1
Vitesse d'écriture, GB/s
2,072.7
16.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
858
3759
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB Comparaison des RAM
Samsung M395T5160QZ4-CE65 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link