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Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Comparez
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Note globale
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Note globale
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
16.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,072.7
13.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
75
Autour de -150% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
75
30
Vitesse de lecture, GB/s
2,730.3
16.4
Vitesse d'écriture, GB/s
2,072.7
13.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
858
3188
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB Comparaison des RAM
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Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB Comparaison des RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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