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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Comparez
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Note globale
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
10.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
74
Autour de -111% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.1
2,201.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
74
35
Vitesse de lecture, GB/s
4,178.4
10.5
Vitesse d'écriture, GB/s
2,201.1
8.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
508
1998
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Absolute Latency
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