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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB

Pontuação geral
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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

Pontuação geral
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Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB

Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB

Diferenças Especificações Comentários

Diferenças

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Razões a considerar
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
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  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    4 left arrow 10.5
    Valor médio nos testes
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB Razões a considerar
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
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  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    35 left arrow 74
    Por volta de -111% menor latência
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    8.1 left arrow 2,201.1
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    17000 left arrow 6400
    Por volta de 2.66 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    74 left arrow 35
  • Velocidade de leitura, GB/s
    4,178.4 left arrow 10.5
  • Velocidade de escrita, GB/s
    2,201.1 left arrow 8.1
  • Largura de banda de memória, mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • Descrição
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
  • Tempos / Velocidade do relógio
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    508 left arrow 1998

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