RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Comparez
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Note globale
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Note globale
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
16.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,201.1
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
74
Autour de -106% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
74
36
Vitesse de lecture, GB/s
4,178.4
16.3
Vitesse d'écriture, GB/s
2,201.1
13.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
508
3044
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB Comparaison des RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Jinyu 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link