RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,201.1
13.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
74
Wokół strony -106% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
36
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
13.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
3044
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link