Porównanie pamięci RAM Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Wynik ogólny

Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB

Powody do rozważenia
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

37 40

Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s

16 12.3

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

12.6 7.8

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

19200 12800

Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

1806 2808

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns