RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB против Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Средняя оценка
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
40
Около -8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.6
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
37
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
16.0
Скорость записи, Гб/сек
7.8
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1806
2808
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB Сравнения RAM
AMD R538G1601S2LS 8GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link