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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Puntuación global
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Puntuación global
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
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Razones a tener en cuenta
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
40
En -8% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.6
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
37
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
12.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1806
2808
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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