RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Comparez
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Note globale
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
16.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,201.1
16.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
74
Autour de -106% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
6400
Autour de 4 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
74
36
Vitesse de lecture, GB/s
4,178.4
16.4
Vitesse d'écriture, GB/s
2,201.1
16.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
25600
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
508
3564
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Mushkin 991586 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link