Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Kingston KVR533D2N4 512MB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

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Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Différences

  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    24 left arrow 75
    Autour de -213% latence réduite
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    16 left arrow 1
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    12.5 left arrow 1,672.1
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    19200 left arrow 4200
    Autour de 4.57 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    75 left arrow 24
  • Vitesse de lecture, GB/s
    1,943.5 left arrow 16.0
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    1,672.1 left arrow 12.5
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    4200 left arrow 19200
Other
  • Description
    PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Timings / Vitesse d'horloge
    4-4-4-12 / 533 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    301 left arrow 2925
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons