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Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Kingston KVR533D2N4 512MB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
Kingston KVR533D2N4 512MB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Razones a tener en cuenta
Kingston KVR533D2N4 512MB
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
75
En -213% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
1,672.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
4200
En 4.57 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
75
24
Velocidad de lectura, GB/s
1,943.5
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
1,672.1
12.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
4200
19200
Other
Descripción
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
301
2925
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
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Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
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Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
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Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
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