RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сравнить
Kingston KVR533D2N4 512MB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston KVR533D2N4 512MB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston KVR533D2N4 512MB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
75
Около -213% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
1,672.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
4200
Около 4.57 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
75
24
Скорость чтения, Гб/сек
1,943.5
16.0
Скорость записи, Гб/сек
1,672.1
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
4200
19200
Other
Описание
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
301
2925
Kingston KVR533D2N4 512MB Сравнения RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Air Computers SRL MXUD3L08160011XB7R 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link