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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Comparez
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Note globale
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
11.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
74
Autour de -174% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
6.0
2,201.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
74
27
Vitesse de lecture, GB/s
4,178.4
11.7
Vitesse d'écriture, GB/s
2,201.1
6.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
508
1901
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
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SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
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