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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
11.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
74
Rund um -174% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.0
2,201.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
74
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,178.4
11.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,201.1
6.0
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
508
1901
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
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