RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Comparez
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Note globale
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
13.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,201.1
10.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
38
74
Autour de -95% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
74
38
Vitesse de lecture, GB/s
4,178.4
13.4
Vitesse d'écriture, GB/s
2,201.1
10.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
508
2398
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB Comparaison des RAM
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link