RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Comparez
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Note globale
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Note globale
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
10.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
69
Autour de -109% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.1
1,441.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
69
33
Vitesse de lecture, GB/s
3,325.1
10.3
Vitesse d'écriture, GB/s
1,441.2
8.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
525
2235
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Transcend Information JM800QLU-2G 2GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link