RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Comparez
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Note globale
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
21
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,201.1
19.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
74
Autour de -196% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
74
25
Vitesse de lecture, GB/s
4,178.4
21.0
Vitesse d'écriture, GB/s
2,201.1
19.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
508
4129
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB Comparaison des RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link