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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
总分
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
21
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,201.1
19.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
74
左右 -196% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
74
25
读取速度,GB/s
4,178.4
21.0
写入速度,GB/s
2,201.1
19.4
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
508
4129
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
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