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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
21
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
53
左右 -112% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
19.4
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
25
读取速度,GB/s
3,726.4
21.0
写入速度,GB/s
1,590.1
19.4
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
4129
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB RAM的比较
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
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Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333S364L9S/4G 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
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