RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Porównaj
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
21
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
53
Wokół strony -112% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.4
1,590.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
53
25
Prędkość odczytu, GB/s
3,726.4
21.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,590.1
19.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
522
4129
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Porównanie pamięci RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link