RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Comparez
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Note globale
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Note globale
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
14.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,201.1
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
39
74
Autour de -90% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
74
39
Vitesse de lecture, GB/s
4,178.4
14.6
Vitesse d'écriture, GB/s
2,201.1
10.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
508
2513
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB Comparaison des RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C15 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link