RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Сравнить
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB против Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Средняя оценка
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
14.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,201.1
10.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
39
74
Около -90% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
74
39
Скорость чтения, Гб/сек
4,178.4
14.6
Скорость записи, Гб/сек
2,201.1
10.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
508
2513
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB Сравнения RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link