RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Comparez
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Note globale
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Note globale
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
16.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,201.1
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
74
Autour de -124% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
74
33
Vitesse de lecture, GB/s
4,178.4
16.1
Vitesse d'écriture, GB/s
2,201.1
12.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
508
3181
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link