RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,201.1
12.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
74
Wokół strony -124% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
33
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
3181
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link