RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Comparez
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Note globale
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Note globale
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
14
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
74
Autour de -100% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.7
2,201.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
74
37
Vitesse de lecture, GB/s
4,178.4
14.0
Vitesse d'écriture, GB/s
2,201.1
9.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
508
2277
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link