RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Comparez
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Note globale
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Note globale
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
15.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
73
Autour de -135% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.0
1,423.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
73
31
Vitesse de lecture, GB/s
3,510.5
15.9
Vitesse d'écriture, GB/s
1,423.3
11.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
476
2813
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB Comparaison des RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link