RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Comparez
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Note globale
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
15.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
73
Autour de -97% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
1,423.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
73
37
Vitesse de lecture, GB/s
3,510.5
15.4
Vitesse d'écriture, GB/s
1,423.3
12.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
476
3075
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB Comparaison des RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD? 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link