RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
73
Wokół strony -97% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
37
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
3075
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link