RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Comparez
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Note globale
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Note globale
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
18.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
73
Autour de -161% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.4
1,423.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
73
28
Vitesse de lecture, GB/s
3,510.5
18.6
Vitesse d'écriture, GB/s
1,423.3
15.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
476
3550
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link