RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
73
Wokół strony -161% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
28
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
18.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
15.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
3550
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kllisre D4 8G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Ramaxel Technology RMUA5180MH78HBF-2666 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link