RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Comparez
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Note globale
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Note globale
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
15.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
73
Autour de -121% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.9
1,423.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
73
33
Vitesse de lecture, GB/s
3,510.5
15.7
Vitesse d'écriture, GB/s
1,423.3
11.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
476
2634
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link