RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Compara
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Puntuación global
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
15.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
73
En -121% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.9
1,423.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
73
33
Velocidad de lectura, GB/s
3,510.5
15.7
Velocidad de escritura, GB/s
1,423.3
11.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
476
2634
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link