RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Comparez
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Note globale
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
17.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
73
Autour de -217% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.3
1,423.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
73
23
Vitesse de lecture, GB/s
3,510.5
17.3
Vitesse d'écriture, GB/s
1,423.3
14.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
476
3036
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link