RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Comparez
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Note globale
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
73
Autour de -109% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.8
1,423.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
73
35
Vitesse de lecture, GB/s
3,510.5
16.2
Vitesse d'écriture, GB/s
1,423.3
12.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
476
3246
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB Comparaison des RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Inmos + 256MB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link