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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
比较
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
总分
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
总分
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
73
左右 -109% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.8
1,423.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
35
读取速度,GB/s
3,510.5
16.2
写入速度,GB/s
1,423.3
12.8
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
476
3246
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
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