RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Comparez
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Note globale
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
18.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
73
Autour de -161% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.2
1,423.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
73
28
Vitesse de lecture, GB/s
3,510.5
18.9
Vitesse d'écriture, GB/s
1,423.3
16.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
476
3835
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link