Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB против G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB

-->

Средняя оценка

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB

G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Причины выбрать
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

3 18.9

Среднее значение в тестах

G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

28 73

Около -161% меньшая задержка
Выше скорость записи

16.2 1,423.3

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 5300

Около 3.21 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

73 28
Скорость чтения, Гб/сек

3,510.5 18.9
Скорость записи, Гб/сек

1,423.3 16.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек

5300 17000

Other

Описание

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 667 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

476 3835

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB

Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB

модули RAM

Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB

Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB

Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB

Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB

модули RAM

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB

Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB

модули RAM

Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB

Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB

модули RAM

Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB

Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB

A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB

A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB

модули RAM

Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB

Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB

Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB

Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB

модули RAM

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB

Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB

модули RAM

Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB

Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB

Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB

Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB

Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB

модули RAM