RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Comparez
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Note globale
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
19.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
73
Autour de -192% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.2
1,423.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
73
25
Vitesse de lecture, GB/s
3,510.5
19.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,423.3
16.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
476
3890
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link