RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Confronto
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
19.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
73
Intorno -192% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.2
1,423.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
73
25
Velocità di lettura, GB/s
3,510.5
19.5
Velocità di scrittura, GB/s
1,423.3
16.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
476
3890
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link