RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Comparez
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Note globale
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
19.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
73
Autour de -170% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.3
1,423.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
73
27
Vitesse de lecture, GB/s
3,510.5
19.4
Vitesse d'écriture, GB/s
1,423.3
16.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
476
3827
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link