RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
73
Wokół strony -170% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.3
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
27
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
16.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
3827
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
MDT Technologies GmbH MDT 1GB DDR2-66 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link